规格:典型接通延迟时间 6 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP171P, 1.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
BSP171P
品牌:
Infineon
库存编号:
167-942
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET BSP100, 3.2 A, Vds=30 V, 4引脚 SC-73封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
BSP100
品牌:
NXP
库存编号:
261-606
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF5802TRPBF, 900 mA, Vds=150 V, 6引脚 TSOP封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
IRF5802TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-647
搜索
Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH114,215, 850 mA, Vds=100 V, 3引脚 TO-236AB封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
BSH114,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
508-539
搜索
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD350N06L G, 29 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
IPD350N06L G
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7496
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STN2NF10, 2.4 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
STN2NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2149
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6930B, 5.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
FDS6930B
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0655
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDY3000NZ, 600 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-89封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
FDY3000NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0841
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDY300NZ, 600 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-89封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
FDY300NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0845
搜索
Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NDC7002N, 510 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
NDC7002N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0161
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA04N60C3, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
SPA04N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3147
搜索
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDC3612, 2.6 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
FDC3612
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9024
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8778, 35 A, Vds=25 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
FDD8778
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9112
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDFS6N754, 4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
FDFS6N754
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9125
查看其他仓库
STMicroelectronics STripFET V 系列 Si N沟道 MOSFET STU85N3LH5, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
STU85N3LH5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0241
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC655BN, 6.3 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
FDC655BN
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-4426
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDC6561AN, 2.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
FDC6561AN
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-9838
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTJS3157NT1G, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-88封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
NTJS3157NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0624
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ON Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET NTLJD3115PT1G, 4.1 A, Vds=20 V, 6引脚 WDFN封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
NTLJD3115PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0646
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD23N06-31L_GE3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
SQD23N06-31L_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9487
搜索
Nexperia N沟道 Si MOSFET BSP126, 375 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
BSP126
品牌:
Nexperia
库存编号:
792-0875
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA7672, 9 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
FDMA7672
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3472
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA8878, 10 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
FDMA8878
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3481
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC654P, 3.6 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
FDC654P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0862
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Vishay Si N沟道 MOSFET Si2338DS-T1-GE3, 6 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型接通延迟时间 6 ns,
制造商零件编号:
Si2338DS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3126
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