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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4368PBF, 350 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP4368PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7002
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STFI20N65M5, 18 A, Vds=710 V, 3引脚 I2PAKFP封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  STFI20N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2942
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA00DP-T1-GE3, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  SIRA00DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9367
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK64N60P3, 64 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFK64N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4408
  
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• Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI1922EDH-T1-GE3, 1.3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  SI1922EDH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3091
  
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• Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SPP15N60CFDXKSA1, 13.4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  SPP15N60CFDXKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8813
  
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• STMicroelectronics STripFET F6 系列 Si P沟道 MOSFET STL8P4LLF6, 8 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  STL8P4LLF6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2846
  
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• STMicroelectronics STripFET F6 系列 Si P沟道 MOSFET STS7P4LLF6, 7 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  STS7P4LLF6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2864
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF5803PBF, 3.4 A, Vds=40 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF5803PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-3735
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET FCB20N60F_F085, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  FCB20N60F_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1133
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STL22N65M5, 15 A, Vds=710 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  STL22N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3046
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP20N65M5, 18 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  STP20N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3080
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FCB20N60F_F085, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  FCB20N60F_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4762
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFR3710Z, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 D-PAK封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR3710Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7645
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86550, 155 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMS86550
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8492
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH072N60F, 52 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  FCH072N60F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1274
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP75N08A, 75 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  FDP75N08A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4862
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW20N65M5, 18 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  STW20N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3084
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX64N60P3, 64 A, Vds=600 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFX64N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4499
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP8440, 100 A，277 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  FDP8440
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3579
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STL42P4LLF6, 42 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  STL42P4LLF6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5682
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA00DP-T1-GE3, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：典型接通延迟时间 43 ns,
• 制造商零件编号：
  SIRA00DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4246
  
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