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• Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQU11P06TU, 9.4 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  FQU11P06TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5335
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD1NK60T4, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  STD1NK60T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5181
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET PMF370XN,115, 870 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-70封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  PMF370XN,115
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8382
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD5867NLT4G, 22 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  NVD5867NLT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1099
  
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• ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 SCH1335-TL-H, 2.5 A, Vds=12 V, 6引脚 SCH封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  SCH1335-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1103
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQPF11P06, 6.1 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  FQPF11P06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5885
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50R1K4CEBTMA1, 3.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD50R1K4CEBTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4607
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQD11P06TM, 9.4 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  FQD11P06TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0949
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTR4501NT1G, 3.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  NTR4501NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  688-9146
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STQ1HNK60R-AP, 400 mA, Vds=600 V, 3引脚 TO-92封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  STQ1HNK60R-AP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  714-6796
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5867NLT4G, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  NTD5867NLT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2901
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG3420U-7, 5.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  DMG3420U-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4092
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC2512, 1.4 A, Vds=150 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  FDC2512
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9009
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFHS8242TRPBF, 21 A, Vds=25 V, 6引脚 PQFN封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFHS8242TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3969
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP11P06, 11.4 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  FQP11P06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-8766
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FDS9431A, 3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS9431A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  917-5507
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STN1HNK60, 400 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  STN1HNK60
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6591
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF5801TRPBF, 600 mA, Vds=200 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF5801TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-631
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN5618P, 1.25 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  FDN5618P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0463
  
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• International Rectifier HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFHS8242TR2PBF, 9.9 A, Vds=25 V, 7引脚 PQFN封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFHS8242TR2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  737-7326
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDZ192NZ, 5.3 A, Vds=20 V, 6引脚 WLCSP封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  FDZ192NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4905
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD1NK60-1, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-251封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  STD1NK60-1
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2704
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI1926DL-T1-GE3, 370 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  SI1926DL-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3101
  
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• Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET PMGD370XN, 1.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-88封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  PMGD370XN
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  816-6896
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPU50R1K4CEBKMA1, 3.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-251封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.5 ns,
• 制造商零件编号：
  IPU50R1K4CEBKMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7069
  
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