以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024NPBF, 4.4 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型接通延迟时间 7.4 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLL024NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1673
  
• 
  搜索

• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN2075U-7, 4.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型接通延迟时间 7.4 ns,
• 制造商零件编号：
  DMN2075U-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4143
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB042N03LG, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型接通延迟时间 7.4 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB042N03LG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9462
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD040N03LGBTMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型接通延迟时间 7.4 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD040N03LGBTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4562
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC3612, 16 A, Vds=100 V, 8引脚 MLP封装
  
  规格：典型接通延迟时间 7.4 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMC3612
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4891
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS040N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
  
  规格：典型接通延迟时间 7.4 ns,
• 制造商零件编号：
  IPS040N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2138
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLU3915PBF, 61 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型接通延迟时间 7.4 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLU3915PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5072
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD040N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型接通延迟时间 7.4 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD040N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5459
  
• 
  搜索

• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET MCH6336-TL-E, 5 A, Vds=12 V, 6引脚 MCPH封装
  
  规格：典型接通延迟时间 7.4 ns,
• 制造商零件编号：
  MCH6336-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-0828
  
• 
  搜索

• ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 NTR2101PT1G, 3.7 A, Vds=8 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型接通延迟时间 7.4 ns,
• 制造商零件编号：
  NTR2101PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4739
  
• 
  搜索

• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTR2101PT1G, 3.7 A, Vds=8 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型接通延迟时间 7.4 ns,
• 制造商零件编号：
  NTR2101PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  790-5274
  
• 
  搜索

• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET CPH6350-TL-E, 6 A, Vds=30 V, 6引脚 CPH封装
  
  规格：典型接通延迟时间 7.4 ns,
• 制造商零件编号：
  CPH6350-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  791-9399
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL2703PBF, 5.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型接通延迟时间 7.4 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLL2703PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0989
  
• 
  搜索

• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRLR3915, 30 A，61 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型接通延迟时间 7.4 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR3915
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  784-9234
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3915PBF, 61 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型接通延迟时间 7.4 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLR3915PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1550
  
• 
  搜索

• DiodesZetex N沟道 MOSFET 晶体管 DMN2015UFDE-7, 10.5 A, Vds=20 V, 6引脚 U-DFN2020封装
  
  规格：典型接通延迟时间 7.4 ns,
• 制造商零件编号：
  DMN2015UFDE-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-5279
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024NTRPBF, 4.4 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型接通延迟时间 7.4 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLL024NTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3300
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT1600N10ALZ, 5.6 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型接通延迟时间 7.4 ns,
• 制造商零件编号：
  FDT1600N10ALZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8732
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP042N03L G, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型接通延迟时间 7.4 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP042N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2368
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024NPBF, 4.4 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型接通延迟时间 7.4 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLL024NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3878
  
• 
  搜索

• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN1260UFA-7B, 500 mA, Vds=12 V, 3引脚 X2-DFN0806封装
  
  规格：典型接通延迟时间 7.4 ns,
• 制造商零件编号：
  DMN1260UFA-7B
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1057
  
• 
  查看其他仓库