规格:典型接通延迟时间 8 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4306GTA, 2.1 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
ZVN4306GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
169-4151
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBF20PBF, 1.7 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
IRFBF20PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9541
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF820PBF, 2.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
IRF820PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0002
搜索
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUD23N06-31L-E3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
SUD23N06-31L-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
611-1342
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9610SPBF, 1.8 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
IRF9610SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4227
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET IRL630SPBF, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
IRL630SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4441
搜索
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP1320FTA, 35 mA, Vds=200 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
ZVP1320FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7704
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC8878, 9.6 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
FDMC8878
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0396
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDN308P, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
FDN308P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0419
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Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6690AS, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
FDS6690AS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0627
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDS6892A, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
FDS6892A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0637
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS8896, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
FDS8896
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0731
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD13N06LTM, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
FQD13N06LTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0955
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Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS332P, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
NDS332P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1087
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86102, 29 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
FDMC86102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6314
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC3601N, 1 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
FDC3601N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9015
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD2582, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
FDD2582
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9068
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD2N62K3, 2.2 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
STD2N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9569
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD11NM50N, 8.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
STD11NM50N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9875
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STQ2N62K3-AP, 2.2 A, Vds=620 V TO-92封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
STQ2N62K3-AP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0597
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6912A, 6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
FDS6912A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9225
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTA4151PT1G, 760 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
NTA4151PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0504
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTE4151PT1G, 760 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-89封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
NTE4151PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0554
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Vishay Si N沟道 MOSFET Si1308EDL-T1-GE3, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SC-70封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
Si1308EDL-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9121
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 Si MOSFET SQ3460EV-T1_GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
规格:典型接通延迟时间 8 ns,
制造商零件编号:
SQ3460EV-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9468
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