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• NXP N沟道 Si MOSFET BUK9575-100A,127, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  BUK9575-100A,127
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  484-2915
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBG20PBF, 1.4 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFBG20PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9563
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R6-60BS, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  PSMN4R6-60BS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2987
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R600E6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD60R600E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7330
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB8896, 93 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  FDB8896
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0824
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI7149ADP-T1-GE3, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  SI7149ADP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1393
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STP16N60M2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  STP16N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2861
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL7540PBF, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFSL7540PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5132
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH26N50P, 26 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFH26N50P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-530
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBE20PBF, 1.8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFBE20PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9535
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET 晶体管 PSMN4R6-60PS, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  PSMN4R6-60PS
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  798-2980
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7540PBF, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFB7540PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  820-8849
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRFS7540TRLPBF, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFS7540TRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  820-8886
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STD16N60M2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  STD16N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5632
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 P沟道 Si MOSFET CSD23203WT, 3 A, Vds=8 V, 6引脚 DSBGA封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  CSD23203WT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  900-9949
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STU16N60M2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  STU16N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2877
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3710PBF, 57 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP3710PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1584
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STD25NF10LT4, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  STD25NF10LT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5068
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SiHG32N50D-GE3, 30 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  SiHG32N50D-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9207
  
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• International Rectifier StrongIRFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFB7540PBF, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFB7540PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  807-1542
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI2323DDS-T1-GE3, 4.3 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2323DDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3110
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP6N120K3, 6 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  STP6N120K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  880-5424
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF16N60M2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  STF16N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2773
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3710PBF, 57 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP3710PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4918
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH26N50P, 26 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 58 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFH26N50P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0773
  
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