规格:典型关断延迟时间 52 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7413PBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
IRF7413PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2468
搜索
Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSC026N02KS G, 100 A, Vds=20 V, 8引脚 TDSON封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
BSC026N02KS G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8154
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP06N60C3, 6.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
SPP06N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2175
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP613P, 2.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
BSP613P
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2236
搜索
IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTH12N65X2, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
IXTH12N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1457
查看其他仓库
IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP12N65X2, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
IXTP12N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1505
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7413QPBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
IRF7413QPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-653
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ46NL, 39 A,53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
AUIRFZ46NL
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9203
搜索
STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP110N10F7, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
STP110N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3776
搜索
Panasonic N沟道 MOSFET 晶体管 SK8403160L, 70 A, Vds=30 V, 8引脚 HSSO8-F1-B封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
SK8403160L
品牌:
Panasonic
库存编号:
787-7627
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB260NPBF, 56 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
IRFB260NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3938
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IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTA12N65X2, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
IXTA12N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1508
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ46NPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
IRFZ46NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4848
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NXP N沟道 MOSFET PHT4NQ10LT,135, 3.5 A, Vds=100 V, 4引脚 SC-73封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
PHT4NQ10LT,135
品牌:
NXP
库存编号:
507-908
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP110N10F7, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
STP110N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-2007
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ46NPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
IRFZ46NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0711
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTP6413ANG, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
NTP6413ANG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2976
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STF110N10F7, 45 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
STF110N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5748
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS030N06B, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
FDMS030N06B
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8341
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB260NPBF, 56 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
IRFB260NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5780
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTB6413ANT4G, 42 A, Vds=100 V, 4引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
NTB6413ANT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2866
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STH110N10F7-2, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 H2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
STH110N10F7-2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3681
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Panasonic SK 系列 Si N沟道 MOSFET SK8603160L, 70 A, Vds=30 V, 8引脚 HSO8-F4-B封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
SK8603160L
品牌:
Panasonic
库存编号:
787-7642
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STF45N10F7, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
STF45N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9320
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7413TRPBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 52 ns,
制造商零件编号:
IRF7413TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8914
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