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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MMBF170LT1G, 500 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  MMBF170LT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  103-2947
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET 2N7002P, 360 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  2N7002P
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8114
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET BS170FTA, 150 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  BS170FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  215-6587
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET BS250FTA, 90 mA, Vds=45 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  BS250FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  215-6593
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9014PBF, 1.1 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFD9014PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0733
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR7821PBF, 65 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLR7821PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2301
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET BSS84, 130 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS84
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0328
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN352AP, 1.3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  FDN352AP
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0447
  
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• Semelab N沟道 MOSFET 晶体管 2N7000CSM, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 LCC 1封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  2N7000CSM
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  738-7593
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC080N03MS G, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  BSC080N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5288
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC520N15NS3 G, 21 A, Vds=150 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  BSC520N15NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5323
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ520N15NS3 G, 21 A, Vds=150 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  BSZ520N15NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5389
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDG328P, 1.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  FDG328P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3399
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDT3N40TF, 2 A, Vds=400 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  FDT3N40TF
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3692
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDU3N40TU, 2 A, Vds=400 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  FDU3N40TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0701
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP3N30, 3.2 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  FQP3N30
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5872
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75329D3ST, 20 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  HUF75329D3ST
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-6676
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET BS170P, 270 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  BS170P
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2160
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 双 Si N沟道 MOSFET IPG20N04S4-12, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  IPG20N04S4-12
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9115
  
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• Microchip N沟道 Si MOSFET VN2222LL-G, 230 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  VN2222LL-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  879-3274
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET 2N7000_D26Z, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  2N7000_D26Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  903-4074
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC900N20NS3 G, 15.2 A, Vds=200 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  BSC900N20NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4400
  
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• Microchip Si N沟道 MOSFET DN2625DK6-G, 1.1 A, Vds=250 V, 8引脚 DFN封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  DN2625DK6-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  916-3725
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z14PBF, 6.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z14PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9478
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3715ZPBF, 49 A, Vds=20 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 10 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLR3715ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4570
  
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