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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA90R800C3, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 400 ns,
• 制造商零件编号：
  IPA90R800C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7149
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 400 ns,
• 制造商零件编号：
  IPW90R1K2C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7434
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPA90R340C3, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 400 ns,
• 制造商零件编号：
  IPA90R340C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-9088
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R120C3, 36 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 400 ns,
• 制造商零件编号：
  IPW90R120C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3077
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R340C3, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 400 ns,
• 制造商零件编号：
  IPW90R340C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8390
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPI90R800C3, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 400 ns,
• 制造商零件编号：
  IPI90R800C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6823
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPD90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 400 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD90R1K2C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9180
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPP90R500C3, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 400 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP90R500C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7611
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPW90R500C3, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 400 ns,
• 制造商零件编号：
  IPW90R500C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7652
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPA90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 400 ns,
• 制造商零件编号：
  IPA90R1K2C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5605
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPP90R800C3, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 400 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP90R800C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7040
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 400 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP90R1K2C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7047
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPI90R500C3, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 400 ns,
• 制造商零件编号：
  IPI90R500C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7557
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R1K0C3, 5.7 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 400 ns,
• 制造商零件编号：
  IPW90R1K0C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7658
  
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