规格:典型关断延迟时间 9.7 ns,
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2402TRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型关断延迟时间 9.7 ns,
制造商零件编号:
IRLML2402TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-016
搜索
ON Semiconductor N沟道 GaN MOSFET NTP8G202NG, 9 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 9.7 ns,
制造商零件编号:
NTP8G202NG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
882-9834
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7821PBF, 13.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 9.7 ns,
制造商零件编号:
IRF7821PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4069
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF8910PBF, 10 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 9.7 ns,
制造商零件编号:
IRF8910PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4722
搜索
ON Semiconductor N沟道 GaN MOSFET NTP8G206NG, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 9.7 ns,
制造商零件编号:
NTP8G206NG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
882-9843
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7821TRPBF, 13.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 9.7 ns,
制造商零件编号:
IRF7821TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4963
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2402GTRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 Micro6封装
规格:典型关断延迟时间 9.7 ns,
制造商零件编号:
IRLML2402GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3316
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2402TRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型关断延迟时间 9.7 ns,
制造商零件编号:
IRLML2402TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4731
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