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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBG30PBF, 3.1 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 89 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFBG30PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1146
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD042P03L3GATMA1, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型关断延迟时间 89 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD042P03L3GATMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9051
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF260N60E, 15 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型关断延迟时间 89 ns,
• 制造商零件编号：
  FCPF260N60E
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4920
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBG30PBF, 3.1 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 89 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFBG30PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4508
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF260N60E, 15 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型关断延迟时间 89 ns,
• 制造商零件编号：
  FCPF260N60E
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1121
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP260N60E, 15 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 89 ns,
• 制造商零件编号：
  FCP260N60E
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1143
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH110N65F_F155, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 89 ns,
• 制造商零件编号：
  FCH110N65F_F155
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1283
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPG30PBF, 3.1 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 89 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFPG30PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9917
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDC606P, 6 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 89 ns,
• 制造商零件编号：
  FDC606P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9033
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLS3036-7P, 240 A，300 A, Vds=60 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 89 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRLS3036-7P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9243
  
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• Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IPD042P03L3 G, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型关断延迟时间 89 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD042P03L3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5579
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCP110N65F, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 89 ns,
• 制造商零件编号：
  FCP110N65F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7896
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLS3036-7PPBF, 300 A, Vds=60 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 89 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLS3036-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7254
  
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