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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1324PBF, 353 A, Vds=24 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 83 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF1324PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6807
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS7650, 232 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型关断延迟时间 83 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMS7650
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6358
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R070C6, 53 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 83 ns,
• 制造商零件编号：
  IPW60R070C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3068
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN5R6-100PS, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 83 ns,
• 制造商零件编号：
  PSMN5R6-100PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-3003
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET ATP206-TL-H, 40 A, Vds=40 V, 3引脚 ATPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 83 ns,
• 制造商零件编号：
  ATP206-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  800-9500
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM120N06-3m5L_GE3, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型关断延迟时间 83 ns,
• 制造商零件编号：
  SQM120N06-3m5L_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3945
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDBL9403_F085, 240 A, Vds=40 V, 8引脚 PSOF封装
  
  规格：典型关断延迟时间 83 ns,
• 制造商零件编号：
  FDBL9403_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8001
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLU3915PBF, 61 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 83 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLU3915PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5072
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1324, 353 A, Vds=24 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 83 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1324
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9212
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN5R6-100BS, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 83 ns,
• 制造商零件编号：
  PSMN5R6-100BS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2990
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R125C6, 30 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 83 ns,
• 制造商零件编号：
  IPW60R125C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7204
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRLR3915, 30 A，61 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 83 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR3915
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  784-9234
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDD8870, 160 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：典型关断延迟时间 83 ns,
• 制造商零件编号：
  FDD8870
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0950
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8350L, 200 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型关断延迟时间 83 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMS8350L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8417
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R125C6, 30 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 83 ns,
• 制造商零件编号：
  IPA60R125C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7292
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R125C6, 30 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型关断延迟时间 83 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB60R125C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  898-6909
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3915PBF, 61 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 83 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLR3915PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1550
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SIS415DNT-T1-GE3, 22 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：典型关断延迟时间 83 ns,
• 制造商零件编号：
  SIS415DNT-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1304
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP054PBF, 70 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 83 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP054PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2749
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8870_F085, 160 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 83 ns,
• 制造商零件编号：
  FDD8870_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8133
  
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