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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R280E6, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 76 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP65R280E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7595
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPT007N06N, 300 A, Vds=60 V, 8引脚 HSOF封装
  
  规格：典型关断延迟时间 76 ns,
• 制造商零件编号：
  IPT007N06N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4407
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXTP62N15P, 62 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 76 ns,
• 制造商零件编号：
  IXTP62N15P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-316
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STW11NK90Z, 9.2 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 76 ns,
• 制造商零件编号：
  STW11NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0266
  
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• MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDP11N60TH, 11 A, Vds=660 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 76 ns,
• 制造商零件编号：
  MDP11N60TH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-4940
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R280E6, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 76 ns,
• 制造商零件编号：
  IPA65R280E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7194
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFK26N120P, 26 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-264封装
  
  规格：典型关断延迟时间 76 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFK26N120P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0877
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB036N12N3 G, 180 A, Vds=120 V, 7引脚 TO-263封装
  
  规格：典型关断延迟时间 76 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB036N12N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5428
  
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• STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 Si MOSFET STL120N2VH5, 120 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：典型关断延迟时间 76 ns,
• 制造商零件编号：
  STL120N2VH5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9639
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R7-30YL, 100 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  规格：典型关断延迟时间 76 ns,
• 制造商零件编号：
  PSMN1R7-30YL
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2912
  
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• MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDF11N60BTH, 11 A, Vds=660 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型关断延迟时间 76 ns,
• 制造商零件编号：
  MDF11N60BTH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-4915
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFK26N120P, 26 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-264封装
  
  规格：典型关断延迟时间 76 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFK26N120P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  711-5360
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB075N15A_F085, 110 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型关断延迟时间 76 ns,
• 制造商零件编号：
  FDB075N15A_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7969
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R280E6, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 76 ns,
• 制造商零件编号：
  IPW65R280E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7642
  
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• ROHM N沟道 SiC MOSFET 晶体管 SCT2080KEC, 40 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 76 ns,
• 制造商零件编号：
  SCT2080KEC
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-6905
  
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