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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH96N20P, 96 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFH96N20P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  193-442
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR44N80P, 25 A, Vds=800 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFR44N80P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-344
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH36N50P, 36 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AD封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFH36N50P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-546
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB8441, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  FDB8441
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0343
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP7N60, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  FCP7N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4755
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP33N25, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  FDP33N25
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4819
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP200NF03, 120 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  STP200NF03
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5289
  
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• IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK32N50Q, 32 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264AA封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFK32N50Q
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  711-5386
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD150N3LLH6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  STD150N3LLH6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9540
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STP20NM65N, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  STP20NM65N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9667
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP75NF20, 75 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  STP75NF20
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2925
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET 晶体管 TK6A65D(STA4,X,M), 6 A, Vds=650 V, 3引脚 SC-67封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  TK6A65D(STA4,X,M)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5191
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTF6P02T3G, 8.4 A, Vds=20 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  NTF6P02T3G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  808-4138
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD7N25LZTM, 6.2 A, Vds=250 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  FDD7N25LZTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0931
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDB8441_F085, 80 A, Vds=40 V, 2针+焊片 TO-263AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  FDB8441_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7997
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCD7N60TM_WS, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  FCD7N60TM_WS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1255
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK6A65D(STA4,X,M), 6 A, Vds=650 V, 3引脚 SC-67封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  TK6A65D(STA4,X,M)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2420
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R099C6, 38 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB60R099C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4479
  
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• DiodesZetex 双 N沟道 Si MOSFET DMN2023UCB4-7, 6 A, Vds=24 V, 4引脚 X1-WLB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  DMN2023UCB4-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1066
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH24N80P, 24 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247AD封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFH24N80P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-079
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH26N60P, 26 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFH26N60P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-451
  
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• Panasonic SK 系列 Si N沟道 MOSFET SK8603140L, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 HSO8-F4-B封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  SK8603140L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7630
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R2-30YLC, 100 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  PSMN1R2-30YLC
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2906
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK10A60W,S5VX(J, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  TK10A60W,S5VX(J
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4999
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NVF6P02T3G, 8.4 A, Vds=20 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型关断延迟时间 75 ns,
• 制造商零件编号：
  NVF6P02T3G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  805-1996
  
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