规格:典型关断延迟时间 90 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MTB50P03HDLT4G, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
MTB50P03HDLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
625-5852
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP65N06, 65 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
FQP65N06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5159
搜索
STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 Si MOSFET STL140N4LLF5, 140 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
STL140N4LLF5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0540
查看其他仓库
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFS3004, 195 A,340 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
AUIRFS3004
品牌:
International Rectifier
库存编号:
784-9155
查看其他仓库
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTB35N15T4G, 37 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
NTB35N15T4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1695
搜索
ROHM N沟道 Si MOSFET R6012ANX, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FM封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
R6012ANX
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7539
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL3004PBF, 340 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
IRFSL3004PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5829
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IXYS GigaMOS, HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET MMIX1T600N04T2, 600 A, Vds=40 V, 24引脚 SMPD封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
MMIX1T600N04T2
品牌:
IXYS
库存编号:
875-2475
查看其他仓库
IXYS GigaMOS, HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET MMIX1T550N055T2, 550 A, Vds=55 V, 24引脚 SMPD封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
MMIX1T550N055T2
品牌:
IXYS
库存编号:
875-2500
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ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 MTP50P03HDLG, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
MTP50P03HDLG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
544-9848
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5805TRPBF, 3.8 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
IRF5805TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-3763
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQB44N10TM, 43 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
FQB44N10TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0895
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA10N80C_F109, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
FQA10N80C_F109
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4881
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP17N40, 16 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
FQP17N40
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5036
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP44N10, 43 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
FQP44N10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5111
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF9N25C, 8.8 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
FQPF9N25C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5329
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3004PBF, 340 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
IRFS3004PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7058
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Semelab N沟道 MOSFET 晶体管 ALF16N16W, 16 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-264封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
ALF16N16W
品牌:
Semelab
库存编号:
737-9580
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STMicroelectronics N沟道 MOSFET 晶体管 STI23NM60ND, 19.5 A, Vds=600 V, 3引脚 I2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
STI23NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9963
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP23NM60ND, 19.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
STP23NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0086
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB23NM60ND, 19.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
STB23NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0667
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET MMIX1F132N50P3, 63 A, Vds=500 V, 24引脚 SMPD封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
MMIX1F132N50P3
品牌:
IXYS
库存编号:
875-2504
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF65N06, 40 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
FQPF65N06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5288
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDC604P, 5.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
FDC604P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-3524
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDME905PT, 8 A, Vds=12 V, 6引脚 MLP封装
规格:典型关断延迟时间 90 ns,
制造商零件编号:
FDME905PT
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
803-1850
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