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• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB40NF10, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 84 ns,
• 制造商零件编号：
  STB40NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7248
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB027N10N3G, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型关断延迟时间 84 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB027N10N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9235
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STL57N65M5, 22 A, Vds=710 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
  
  规格：典型关断延迟时间 84 ns,
• 制造商零件编号：
  STL57N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3056
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD068P03L3G, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型关断延迟时间 84 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD068P03L3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5108
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP030N10N3 G, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 84 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP030N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-9089
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB025N10N3 G, 180 A, Vds=100 V, 7引脚 TO-263封装
  
  规格：典型关断延迟时间 84 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB025N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5421
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1607PBF, 142 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 84 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF1607PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5743
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDD3670, 34 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型关断延迟时间 84 ns,
• 制造商零件编号：
  FDD3670
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9074
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPT020N10N3, 300 A, Vds=100 V, 8引脚 HSOF封装
  
  规格：典型关断延迟时间 84 ns,
• 制造商零件编号：
  IPT020N10N3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4356
  
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