以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP8NK100Z, 6.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  STP8NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5285
  
• 
  搜索

• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB22N60E-GE3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHB22N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9313
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF34N65M5, 28 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  STF34N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2992
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDG332PZ, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  FDG332PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3403
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB22N60E-GE3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHB22N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0966
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7416PBF, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7416PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4820
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STF8NK100Z, 6.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  STF8NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6667
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP34N65M5, 28 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  STP34N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2980
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STW34N65M5, 28 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  STW34N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2996
  
• 
  搜索

• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN3R4-30PL, 100 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  PSMN3R4-30PL
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2959
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STB28N65M2, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  STB28N65M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5617
  
• 
  搜索

• Vishay E Series 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SIHB22N60E-GE3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHB22N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5790
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET SPP20N60CFD, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  SPP20N60CFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3204
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STF8NK100Z, 6.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  STF8NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2855
  
• 
  搜索

• Vishay E Series 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SIHG22N60E-E3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHG22N60E-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9326
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHF22N60E-E3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHF22N60E-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9329
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7416TRPBF, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7416TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8926
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF28N65M2, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  STF28N65M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5645
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW28N65M2, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  STW28N65M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5718
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7416PBF, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7416PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0143
  
• 
  搜索

• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 SIHP22N60E-E3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHP22N60E-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9341
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STFI34N65M5, 28 A, Vds=710 V, 3引脚 I2PAKFP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  STFI34N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2955
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB34N65M5, 28 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  STB34N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3052
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR7540TRPBF, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR7540TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4199
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STP28N65M2, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 59 ns,
• 制造商零件编号：
  STP28N65M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5695
  
• 
  搜索