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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05L, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  RFD14N05L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  325-7580
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS8884, 8.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS8884
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0722
  
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• Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDS8984, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS8984
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0753
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRLZ44, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLZ44PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4897
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFU1010Z, 91 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRFU1010Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1863
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF14NM50N, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  STF14NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2754
  
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• ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 MCH3377-TL-E, 3 A, Vds=20 V, 3引脚 MCPH封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  MCH3377-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-0819
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA02DP-T1-GE3, 50 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  SIRA02DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9361
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STP13N80K5, 12 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  STP13N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7807
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STB13N80K5, 12 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  STB13N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5704
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75545P3, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  HUF75545P3
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-6695
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SIHF830S-GE3, 4.5 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHF830S-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2654
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS8984_F085, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS8984_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8723
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STB13N80K5, 12 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  STB13N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6614
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP20NM60FP, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  STP20NM60FP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-2234
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7314PBF, 5.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7314PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0294
  
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• Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCP11N60N, 10.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  FCP11N60N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6140
  
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• Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF11N60NT, 10.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  FCPF11N60NT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6153
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET BSL207SP, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  BSL207SP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2781
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP14NM50N, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  STP14NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0011
  
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• Fairchild Semiconductor MegaFET 系列 N沟道 Si MOSFET RFD16N05LSM9A, 16 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  RFD16N05LSM9A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-3574
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STF13N80K5, 12 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  STF13N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-9311
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTHS5441T1G, 2.8 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  NTHS5441T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  805-1905
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIHLZ44STRR-GE3, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHLZ44STRR-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  813-0724
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF634S-GE3, 8.1 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 42 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHF634S-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2632
  
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