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• NXP Si P沟道 MOSFET PMV65XP, 3.9 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  PMV65XP
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8142
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STP35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  STP35N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6477
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4310PBF, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFB4310PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4744
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4310PBF, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFS4310PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4889
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8320L, 100 A，238 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMS8320L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9187
  
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• ON Semiconductor 双 N沟道 MOSFET 晶体管 ECH8649-TL-H, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 ECH封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  ECH8649-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0829
  
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• ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET ECH8668-TL-H, 5 A，7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 ECH封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  ECH8668-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0869
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDZ661PZ, 2.6 A, Vds=20 V, 4引脚 WLCSP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  FDZ661PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0723
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2805SPBF, 135 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF2805SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5740
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3808SPBF, 106 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF3808SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3303
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2805PBF, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF2805PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  912-8687
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STB35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  STB35N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6462
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STF35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  STF35N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6464
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  STW35N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6482
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDS4935BZ, 6.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS4935BZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0536
  
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• Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF2805S, 135 A, Vds=55 V, 4引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRF2805S
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1771
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3808S, 106 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3808S
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1790
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3808, 140 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3808
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1796
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2805PBF, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF2805PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0274
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQM120N04-1m8-GE3, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  SQM120N04-1m8-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9519
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI8489EDB-T2-E1, 4.3 A, Vds=20 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  SI8489EDB-T2-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1438
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3808PBF, 140 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF3808PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2815
  
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• Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPB65R110CFD, 31 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB65R110CFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4328
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3808STRLPBF, 106 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF3808STRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4941
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDS4435BZ, 8.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 68 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS4435BZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0508
  
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