规格:典型关断延迟时间 39 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL540NPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
IRL540NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1219
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF540NSPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
IRF540NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2458
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010NSPBF, 85 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
IRF1010NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2874
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL540NSPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
IRL540NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0440
查看其他仓库
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRFI9640GPBF, 6.1 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
IRFI9640GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-1128
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9640SPBF, 11 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
IRF9640SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4211
搜索
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRF9640LPBF, 11 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
IRF9640LPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4895
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP120N10, 74 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
FDP120N10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9673
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRFR5305, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
AUIRFR5305
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4312
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD3NK100Z, 2.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
STD3NK100Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9900
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCPF600N60Z, 7.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
FCPF600N60Z
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1127
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP600N60Z, 7.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
FCP600N60Z
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1149
查看其他仓库
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN016-100XS, 32 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
PSMN016-100XS
品牌:
NXP
库存编号:
798-2849
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF630STRL-GE3, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
SIHF630STRL-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2623
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9640STRLPBF, 6.8 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
IRF9640STRLPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2667
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9640STRRPBF, 6.8 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
IRF9640STRRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2676
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD100N04-3M6L_GE3, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252AA封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
SQD100N04-3M6L-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3939
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFBA90N20DPBF, 98 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-273AA封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
IRFBA90N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3950
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF540NSTRLPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
IRF540NSTRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2831
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STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STH140N6F7-2, 80 A, Vds=60 V, 2引脚 H2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
STH140N6F7-2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2836
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF540NLPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
IRF540NLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5028
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3411TRPBF, 32 A, Vds=100 V, 3针+焊片 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
IRFR3411TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5014
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFB13N50APBF, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
IRFB13N50APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
918-9856
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010NPBF, 85 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
IRF1010NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0777
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9640PBF, 11 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 39 ns,
制造商零件编号:
IRF9640PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1118
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