品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1010EZ, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
AUIRF1010EZ
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7655
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF4104PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
IRF4104PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
716-5545
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ035N03MS G, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
BSZ035N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5358
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD053N08N3G, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
IPD053N08N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9102
查看其他仓库
Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPI65R420CFD, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
IPI65R420CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6726
搜索
Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R420CFDXKSA1, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
IPP65R420CFDXKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6946
搜索
Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R420CFD, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
IPW65R420CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7148
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL1404SPBF, 160 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
IRL1404SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5000
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Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7504TRPBF, 1.7 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
IRF7504TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-748
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4410DYPBF, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
SI4410DYPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2414
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF4104SPBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
IRF4104SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8894
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3307ZPBF, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
IRFB3307ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6914
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP057N08N3 G, 80 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
IPP057N08N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5601
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSB028N06NN3 G, 90 A, Vds=60 V, 7引脚 WDSON封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
BSB028N06NN3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4306
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1010EZ, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
AUIRF1010EZ
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3982
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7805QPBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
IRF7805QPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-697
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7805PBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
IRF7805PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2010
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7805APBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
IRF7805APBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2171
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7311PBF, 6.6 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
IRF7311PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
610-6687
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3307ZPBF, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
IRFS3307ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7070
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Infineon Si N沟道 MOSFET AUIRF4104, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
AUIRF4104
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7667
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB054N08N3G, 80 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
IPB054N08N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9178
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSO033N03MSG, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
BSO033N03MSG
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9184
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP039N04L G, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
IPP039N04L G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2330
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R420CFD, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 38 ns,
制造商零件编号:
IPA65R420CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7523
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