规格:典型关断延迟时间 32 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7301PBF, 5.2 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
IRF7301PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0698
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU120NPBF, 9.4 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
IRFU120NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1613
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET IRFB11N50APBF, 11 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
IRFB11N50APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1944
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC5614P, 5.7 A, Vds=60 V, 8引脚 MLP封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
FDMC5614P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0384
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD5NK50ZT4, 4.4 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
STD5NK50ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5134
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP14NF10, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
STP14NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-6780
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5832NLT1G, 110 A, Vds=40 V, 8引脚 SO-8FL封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
NTMFS5832NLT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
753-2686
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD2582, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
FDD2582
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9068
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86520L, 55 A, Vds=60 V, 8引脚 MLP封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
FDMC86520L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
760-5882
搜索
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD10NM60ND, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
STD10NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9534
搜索
ON Semiconductor P沟道 MOSFET NTR4171PT1G, 3.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
NTR4171PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5286
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STL8N80K5, 4.5 A, Vds=800 V, 8引脚 PowerFLAT封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
STL8N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7706
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMS4916NR2G, 11.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
NTMS4916NR2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1068
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86540, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
FDMS86540
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
805-0365
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET SIHG20N50C-E3, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
SIHG20N50C-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1266
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP315PH6327XTSA1, 1.17 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
BSP315PH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9238
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFI4229PBF, 19 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
IRFI4229PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3975
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR120NTRPBF, 9.4 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
IRFR120NTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4038
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STD5N95K5, 3.5 A, Vds=950 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
STD5N95K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-7088
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI111N15N3GAKSA1, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
IPI111N15N3GAKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4650
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR7446TRPBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
IRFR7446TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4195
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19536KTTT, 272 A, Vds=100 V, 3引脚 DDPAK,TO-263封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
CSD19536KTTT
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
900-9857
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR120NPBF, 9.4 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
IRFR120NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4823
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7341PBF, 4.7 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
IRF7341PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1758
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIB7N50APBF, 6.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型关断延迟时间 32 ns,
制造商零件编号:
IRFIB7N50APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1966
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