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• Vishay P沟道 Si MOSFET SIA447DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=12 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  SIA447DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9288
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI2365EDS-T1-GE3, 4.7 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2365EDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3139
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI3477DV-T1-GE3, 8 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  SI3477DV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3160
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SISS27DN-T1-GE3, 23 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  SISS27DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4299
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SISS27DN-T1-GE3, 23 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  SISS27DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1323
  
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