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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP7N60P, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  IXTP7N60P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-506
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR2407PBF, 42 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR2407PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1162
  
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• Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDS6890A, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS6890A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0633
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB6N80TM, 5.8 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  FQB6N80TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0927
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP8N80C, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  FQP8N80C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5199
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK80ZFP, 9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  STP10NK80ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5273
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SIA447DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=12 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  SIA447DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9288
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK98N50P3, 98 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFK98N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4414
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF16N50T, 16 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  FDPF16N50T
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3598
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NVF2955T1G, 2 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  NVF2955T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  807-9871
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB5N90TM, 5.4 A, Vds=900 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  FQB5N90TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-9001
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH130N60, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  FCH130N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1287
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR2407PBF, 42 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR2407PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3843
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9310PBF, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF9310PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4026
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFP10N60P, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFP10N60P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0776
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFP10N60P, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFP10N60P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-502
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7401PBF, 8.7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7401PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9834
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP42N65M5, 33 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  STP42N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5201
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW42N65M5, 33 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  STW42N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5223
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRFH9310TRPBF, 21 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFH9310TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7322
  
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• Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SPW35N60CFD, 34 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  SPW35N60CFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8511
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB42N65M5, 33 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  STB42N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0402
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW62NM60N, 65 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  STW62NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2918
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF6N80T, 3.3 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  FQPF6N80T
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5917
  
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• Nexperia 双 Si P沟道 MOSFET NX3008PBKS, 200 mA, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：典型关断延迟时间 65 ns,
• 制造商零件编号：
  NX3008PBKS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  816-0573
  
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