品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3713SPBF, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IRL3713SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8951
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3077PBF, 160 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IRFP3077PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6970
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3306PBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IRFS3306PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7077
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR48Z, 62 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
AUIRFR48Z
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4303
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Infineon OptiMOS T2 系列 双 N沟道 Si MOSFET IPG20N04S4L-08, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IPG20N04S4L-08
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9222
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3713PBF, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IRL3713PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3293
搜索
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R660CFD, 6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IPA65R660CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8633
搜索
Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPB65R660CFD, 6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IPB65R660CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7444
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Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPB60R385CP, 9 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IPB60R385CP
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7495
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3410PBF, 31 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IRFR3410PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2238
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3306PBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IRFP3306PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6982
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R299CP, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IPP60R299CP
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3043
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Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50R280CE, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IPD50R280CE
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9140
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9540NSTRLPBF, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IRF9540NSTRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3931
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3306GPBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IRFB3306GPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3940
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3410TRPBF, 31 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IRFR3410TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4044
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3306TRLPBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IRFS3306TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4098
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2807ZPBF, 89 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IRF2807ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2796
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R3K3C6ATMA1, 1.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IPD60R3K3C6ATMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4619
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPI60R299CP, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IPI60R299CP
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6704
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP023N04NGXKSA1, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IPP023N04NGXKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6836
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP60R1K4C6XKSA1, 3.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IPP60R1K4C6XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6921
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R660CFDAAKSA1, 6 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IPP65R660CFDAAKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6959
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP90N06S4-04, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IPP90N06S4-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7034
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R660CFD, 6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IPW65R660CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
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