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• STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB55NF06L, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  STB55NF06L
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-1922
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFP460LCPBF, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP460LCPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0193
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3713SPBF, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  IRL3713SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8951
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4424GTA, 500 mA, Vds=240 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  ZVN4424GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  669-7442
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6670A, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS6670A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0582
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP047AN08A0, 15 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  FDP047AN08A0
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4783
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP12P20, 11.5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  FQP12P20
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5010
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3077PBF, 160 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP3077PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6970
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3306PBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFS3306PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7077
  
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• Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2310CX RFG, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  TSM2310CX RFG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  743-6052
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXM64P03XTA, 3.8 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  ZXM64P03XTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-5326
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS2734, 3 A, Vds=250 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS2734
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9197
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR48Z, 62 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR48Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4303
  
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• STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STP95N4F3, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  STP95N4F3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9720
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD5N62K3, 4.2 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  STD5N62K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9916
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD20NF20, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  STD20NF20
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0415
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI7949DP-T1-E3, 12.5 A, Vds=80 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI7949DP-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9011
  
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• Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP25N40D-GE3, 25 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHP25N40D-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9175
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7164DP-T1-GE3, 60 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI7164DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9529
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFT18N100Q3, 18 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-268封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFT18N100Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1461
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFQ34N50P3, 34 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFQ34N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4455
  
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• Fairchild Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET FDG6318PZ, 500 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  FDG6318PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3419
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDU7N60NZTU, 5.5 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  FDU7N60NZTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0710
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 双 N沟道 Si MOSFET IPG20N04S4L-08, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  IPG20N04S4L-08
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9222
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3713PBF, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  IRL3713PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3293
  
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