以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Vishay N沟道 Si MOSFET IRF840LCPBF, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF840LCPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  301-495
  
• 
  搜索

• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFBC40LCPBF, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFBC40LCPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0159
  
• 
  搜索

• Vishay P沟道 Si MOSFET SI1469DH-T1-GE3, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  SI1469DH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3081
  
• 
  搜索

• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SISA10DN-T1-GE3, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  SISA10DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9409
  
• 
  搜索

• Vishay N沟道 Si MOSFET SI4666DY-T1-GE3, 16.5 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4666DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3249
  
• 
  搜索

• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFI840GLCPBF, 4.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFI840GLCPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-2474
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA10DP-T1-GE3, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  SIRA10DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9377
  
• 
  搜索

• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQR40N10-25-GE3, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  SQR40N10-25-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1453
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF840LCPBF, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 27 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF840LCPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4400
  
• 
  搜索