规格:典型关断延迟时间 27 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRF840LCPBF, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
IRF840LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
301-495
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP36NF06FP, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
STP36NF06FP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2278
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET IRFBC40LCPBF, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
IRFBC40LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0159
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6670AS, 13.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
FDS6670AS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0586
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP42AN15A0, 5 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
FDP42AN15A0
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4840
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC8462, 64 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 33封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
FDMC8462
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9134
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQB1P50TM, 1.5 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
FQB1P50TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9333
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86322, 83 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
FDMS86322
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9642
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFR120Z, 8.7 A, Vds=100 V, 3引脚 D-PAK封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
AUIRFR120Z
品牌:
International Rectifier
库存编号:
760-4309
查看其他仓库
ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTGS3441T1G, 1.65 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
NTGS3441T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
791-6280
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN015-60PS, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
PSMN015-60PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2842
搜索
Vishay P沟道 Si MOSFET SI1469DH-T1-GE3, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
SI1469DH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3081
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ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NVMFD5852NLT1G, 44 A, Vds=40 V, 8引脚 DFN封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
NVMFD5852NLT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
823-4166
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD040N03LGBTMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
IPD040N03LGBTMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4562
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI90N04S4-02, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
IPI90N04S4-02
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6811
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP90N04S4-02, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
IPP90N04S4-02
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7031
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86101A, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
FDMS86101A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8439
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF320N06L, 21 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
FDPF320N06L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8600
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF5N50UT, 4 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
FDPF5N50UT
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8619
搜索
MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDU1514URH, 66 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerDFN56封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
MDU1514URH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-5019
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS040N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
IPS040N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2138
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH5010TRPBF, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
IRFH5010TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5195
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630NPBF, 9.3 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
IRF630NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-5025
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STS6NF20V, 6 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
STS6NF20V
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-8386
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630NPBF, 9.3 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
IRF630NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0068
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