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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39A60W,S4VX(M, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型关断延迟时间 200 ns,
• 制造商零件编号：
  TK39A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5122
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39J60W5,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：典型关断延迟时间 200 ns,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W5,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5135
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 200 ns,
• 制造商零件编号：
  TK39N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5138
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MTD6N15T4G, 6 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 200 ns,
• 制造商零件编号：
  MTD6N15T4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  808-0057
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET PMN20EN, 6.7 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 200 ns,
• 制造商零件编号：
  PMN20EN
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  816-6906
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：典型关断延迟时间 200 ns,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6211
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W5,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：典型关断延迟时间 200 ns,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W5,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2363
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 200 ns,
• 制造商零件编号：
  TK39N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2372
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SUM110P06-07L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型关断延迟时间 200 ns,
• 制造商零件编号：
  SUM110P06-07L-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5756
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA24N60, 23 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：典型关断延迟时间 200 ns,
• 制造商零件编号：
  FQA24N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4929
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA55N25, 55 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：典型关断延迟时间 200 ns,
• 制造商零件编号：
  FQA55N25
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4948
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 200 ns,
• 制造商零件编号：
  TK39N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6218
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：典型关断延迟时间 200 ns,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2369
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET WPH4003-1E, 3 A, Vds=1700 V, 3引脚 TO-3PF封装
  
  规格：典型关断延迟时间 200 ns,
• 制造商零件编号：
  WPH4003-1E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  796-1393
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W5,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：典型关断延迟时间 200 ns,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W5,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6214
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39J60W,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：典型关断延迟时间 200 ns,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5126
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39A60W,S4VX(M, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型关断延迟时间 200 ns,
• 制造商零件编号：
  TK39A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6202
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39A60W,S4VX(M, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型关断延迟时间 200 ns,
• 制造商零件编号：
  TK39A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2366
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPW55N80C3, 55 A, Vds=850 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 200 ns,
• 制造商零件编号：
  SPW55N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7677
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SUM110P06-07L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型关断延迟时间 200 ns,
• 制造商零件编号：
  SUM110P06-07L-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0938
  
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