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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7241PBF, 6.2 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 210 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7241PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1459
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP46N15, 45 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 210 ns,
• 制造商零件编号：
  FQP46N15
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5124
  
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• ROHM P沟道 Si MOSFET RZF030P01TL, 3 A, Vds=12 V, 3引脚 TUMT封装
  
  规格：典型关断延迟时间 210 ns,
• 制造商零件编号：
  RZF030P01TL
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7829
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIZ48GPBF, 37 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 210 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFIZ48GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  918-9865
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIZ48GPBF, 37 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 210 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFIZ48GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4799
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ48PBF, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 210 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFZ48PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0688
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS6679AZ, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 210 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS6679AZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0602
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP048PBF, 70 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 210 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP048PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4793
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA46N15, 50 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：典型关断延迟时间 210 ns,
• 制造商零件编号：
  FQA46N15
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-8982
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7240TRPBF, 10.5 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 210 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7240TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8835
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7241TRPBF, 6.2 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 210 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7241TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8844
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7240PBF, 10.5 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 210 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7240PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3935
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ48RPBF, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 210 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFZ48RPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-1213
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7240PBF, 10.5 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 210 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7240PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-3937
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET ECH8420-TL-H, 14 A, Vds=20 V, 8引脚 ECH封装
  
  规格：典型关断延迟时间 210 ns,
• 制造商零件编号：
  ECH8420-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0822
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDA28N50, 28 A, Vds=500 V, 2引脚 TO-3PN封装
  
  规格：典型关断延迟时间 210 ns,
• 制造商零件编号：
  FDA28N50
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-5084
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI3499DV-T1-GE3, 3.9 A, Vds=8 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 210 ns,
• 制造商零件编号：
  SI3499DV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3173
  
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