品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF3709ZSPBF, 87 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IRF3709ZSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6841
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3709ZPBF, 87 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IRF3709ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6847
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9335PBF, 5.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IRF9335PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9252
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLB8748PBF, 92 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IRLB8748PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9329
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC050N03MS G, 80 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
BSC050N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5263
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ097N04LS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
BSZ097N04LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5367
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD105N04L G, 40 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IPD105N04L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5468
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL4020PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IRFSL4020PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5835
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7910PBF, 10 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IRF7910PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
405-521
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML9301TRPBF, 3.6 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IRLML9301TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4060
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7457PBF, 15 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IRF7457PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0888
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IPP096N03L G, 35 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IPP096N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5493
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ0904NSI, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
BSZ0904NSI
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9089
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC252N10NSFG, 40 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
BSC252N10NSFG
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9269
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7855TRPBF, 12 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IRF7855TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3893
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Infineon DirectFET, HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6715MTR1PBF, 34 A, Vds=25 V, 7引脚 DirectFET MX封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IRF6715MTR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6759
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6795MTR1PBF, 32 A, Vds=25 V, 7引脚 DirectFET MX封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IRF6795MTR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6796
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7855PBF, 12 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IRF7855PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6881
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4020PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IRFB4020PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6939
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC093N04LS G, 49 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
BSC093N04LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8164
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Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7910TRPBF, 10 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IRF7910TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4967
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