品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFU9120NPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRFU9120NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1275
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104LPBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRF1104LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1077
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS52N15DPBF, 51 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRFS52N15DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
639-1863
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5004TR2PBF, 28 A, Vds=40 V, 8引脚 QFN封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRFH5004TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9268
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB042N03LG, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IPB042N03LG
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9462
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9120NTRPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRFR9120NTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4082
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB70N10S3L-12, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IPB70N10S3L-12
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4495
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC159N10LSF G, 63 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
BSC159N10LSFG
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4340
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9120NTRPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRFR9120NTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4795
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104PBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRF1104PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4946
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP603S2L, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
BSP603S2L
品牌:
Infineon
库存编号:
462-2935
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104PBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRF1104PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1994
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9520NSPBF, 6.8 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRF9520NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4160
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4510PBF, 62 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRFB4510PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-8922
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4510PBF, 61 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRFS4510PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-8969
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50N10S3L-16, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IPB50N10S3L-16
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8958
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPI50N10S3L-16, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IPI50N10S3L-16
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4685
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50N10S3L-16, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IPP50N10S3L-16
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6899
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP135H6906XTSA1, 120 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
BSP135H6906XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8491
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9120NPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRFR9120NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4716
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9120NPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRFR9120NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-057
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Infineon N沟道 MOSFET IPP80N06S2L-07, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IPP80N06S2L-07
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8388
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7463PBF, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRF7463PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8936
查看其他仓库
Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP70N10S3L-12, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IPP70N10S3L-12
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6956
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ019N03LS, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
BSZ019N03LS
品牌:
Infineon
库存编号:
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