规格:典型关断延迟时间 28 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFU9120NPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRFU9120NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1275
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104LPBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRF1104LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1077
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS52N15DPBF, 51 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRFS52N15DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
639-1863
搜索
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI1403CDL-T1-GE3, 1.4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
SI1403CDL-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3213
查看其他仓库
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5004TR2PBF, 28 A, Vds=40 V, 8引脚 QFN封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRFH5004TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9268
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF5N50NZ, 4.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
FDPF5N50NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4885
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB8447L, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263AB封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
FDB8447L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8995
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD6828NLT4G, 41 A, Vds=90 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
NVD6828NLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1092
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS3992, 4.5 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
FDS3992
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3649
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SIHF9630STRL-GE3, 4 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
SIHF9630STRL-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2663
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB042N03LG, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IPB042N03LG
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9462
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9120NTRPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRFR9120NTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4082
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK30A06N1,S4X(S, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
TK30A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6179
搜索
Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB70N10S3L-12, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IPB70N10S3L-12
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4495
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86255, 45 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
FDMS86255
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8473
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC159N10LSF G, 63 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
BSC159N10LSFG
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4340
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9120NTRPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRFR9120NTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4795
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Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET C3M0065090D, 36 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
C3M0065090D
品牌:
Wolfspeed
库存编号:
915-8836
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104PBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRF1104PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4946
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP603S2L, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
BSP603S2L
品牌:
Infineon
库存编号:
462-2935
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104PBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRF1104PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1994
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9630PBF, 6.5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRF9630PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-2515
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9520NSPBF, 6.8 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
IRF9520NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4160
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6690A, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
FDS6690A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0624
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 FDP16AN08A0, 9 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 28 ns,
制造商零件编号:
FDP16AN08A0
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4796
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