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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4214DDY-T1-GE3, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4214DDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3327
  
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• Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP10N40D-GE3, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHP10N40D-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9171
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2343CDS-T1-GE3, 4.7 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2343CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3120
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFI620GPBF, 4 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFI620GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  813-0708
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRL620SPBF, 5.2 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRL620SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  609-4203
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR120PBF, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR120PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4812
  
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• Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHF10N40D-E3, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHF10N40D-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9156
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR1N60ATRPBF, 1.4 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR1N60ATRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2777
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA14DP-T1-GE3, 58 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  SIRA14DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9389
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU1N60APBF, 1.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-251封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFU1N60APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0660
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI2366DS-T1-GE3, 5.8 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2366DS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3132
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIB406EDK-T1-GE3, 5.1 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-75封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  SIB406EDK-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1247
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI4823DY-T1-GE3, 3.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4823DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1283
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD120PBF, 1.3 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFD120PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1691
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR1N60APBF, 1.4 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR1N60APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1988
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI1470DH-T1-E3, 3.8 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  SI1470DH-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3222
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4214DDY-T1-GE3, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4214DDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0281
  
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