规格:典型关断延迟时间 18 ns,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
产品分类
(69)
半导体
(69)
筛选品牌
DiodesZetex (8)
Fairchild Semiconductor (8)
Infineon (19)
Nexperia (1)
NXP (4)
ON Semiconductor (5)
STMicroelectronics (2)
Texas Instruments (4)
Toshiba (1)
Vishay (17)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024NPBF, 4.4 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
IRLL024NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1673
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4020H-117P, 9.1 A, Vds=200 V, 5引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
IRFI4020H-117P
品牌:
Infineon
库存编号:
700-3201
搜索
DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET BSS84DW-7-F, 130 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-363封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
BSS84DW-7-F
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2484
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4214DDY-T1-GE3, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
SI4214DDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3327
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDMA1024NZ, 5 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
FDMA1024NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6216
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8318TR2PBF, 120 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
IRFH8318TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4378
查看其他仓库
Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP10N40D-GE3, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
SIHP10N40D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9171
搜索
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTR0202PLT1G, 400 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
NTR0202PLT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
791-6299
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN045-80YS, 24 A, Vds=80 V, 4引脚 SOT-669封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
PSMN045-80YS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2889
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDFS2P753Z, 3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
FDFS2P753Z
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3365
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET SI2343CDS-T1-GE3, 4.7 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
SI2343CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3120
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET IRFI620GPBF, 4 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
IRFI620GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
813-0708
搜索
DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET BSS84V-7, 130 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-563封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
BSS84V-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2185
查看其他仓库
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN62D0LFD-7, 310 mA, Vds=60 V, 3引脚 X1-DFN1212封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
DMN62D0LFD-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
828-3200
查看其他仓库
Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB35N10S3L-26, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
IPB35N10S3L-26
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8671
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB23N15DPBF, 23 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
IRFB23N15DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5778
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA180N10N3 G, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
IPA180N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2286
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 系列 双 N沟道 Si MOSFET IPG20N06S4L-26, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
IPG20N06S4L-26
品牌:
Infineon
库存编号:
110-9095
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET IRL620SPBF, 5.2 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
IRL620SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
609-4203
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7834PBF, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
IRF7834PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4104
查看其他仓库
DiodesZetex P沟道 MOSFET 晶体管 BSS84TA, 130 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
BSS84TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7376
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR120PBF, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
IRFR120PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4812
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5204TR2PBF, 22 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
IRFH5204TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7265
查看其他仓库
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET BSS84-7-F, 130 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
BSS84-7-F
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
738-4932
搜索
Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N10S3L-34, 30 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型关断延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
IPD30N10S3L-34
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3018
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号