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• MagnaChip Si N沟道 MOSFET MMQ60R190PTH, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 146 ns,
• 制造商零件编号：
  MMQ60R190PTH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-5056
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N65M2, 49 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 146 ns,
• 制造商零件编号：
  STW56N65M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5733
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N65M2-4, 49 A, Vds=650 V, 4引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 146 ns,
• 制造商零件编号：
  STW56N65M2-4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5736
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPB180P04P4L-02, 180 A, Vds=40 V, 7引脚 TO-263封装
  
  规格：典型关断延迟时间 146 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB180P04P4L-02
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7749
  
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• MagnaChip Si N沟道 MOSFET MML60R190PTH, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型关断延迟时间 146 ns,
• 制造商零件编号：
  MML60R190PTH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-5053
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF9358TRPBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 146 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF9358TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4777
  
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• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2006UFG-7, 17.5 A, Vds=20 V, 8引脚 POWERDI3333封装
  
  规格：典型关断延迟时间 146 ns,
• 制造商零件编号：
  DMP2006UFG-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1139
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF9358PBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 146 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF9358PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7297
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF9358TRPBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 146 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF9358TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3922
  
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• MagnaChip Si N沟道 MOSFET MMF60R190PTH, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型关断延迟时间 146 ns,
• 制造商零件编号：
  MMF60R190PTH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-5031
  
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