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• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET ZXM62P02E6TA, 2.3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  ZXM62P02E6TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  155-248
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN2106GTA, 710 mA, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  ZVN2106GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  274-992
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7503TRPBF, 2.4 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7503TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  300-290
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET BSS123, 150 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS123
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8117
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP2110A, 230 mA, Vds=100 V, 3引脚 E-Line封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  ZVP2110A
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  157-4580
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDN308P, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  FDN308P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0419
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8256PBF, 81 A, Vds=25 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLR8256PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7238
  
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• DiodesZetex P沟道 MOSFET 晶体管 ZXMP2120FFTA, 130 mA, Vds=200 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  ZXMP2120FFTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2620
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4936BDY-T1-E3, 5.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4936BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4746
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDC6561AN, 2.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  FDC6561AN
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-9838
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002BK, 350 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  2N7002BK
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  781-6691
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQD5P10TM, 2.3 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  FQD5P10TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-9023
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQD5P20TM, 2.3 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  FQD5P20TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-9026
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9020TRPBF, 9.9 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR9020TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0641
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP2106ASTZ, 280 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  ZVP2106ASTZ
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-1842
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS806NEH6327XTSA1, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS806NEH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0109
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18504Q5A, 75 A, Vds=40 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  CSD18504Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4883
  
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• ON Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET MCH6664-TL-W, 1.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  MCH6664-TL-W
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  842-7800
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD40N03S4L-08, 40 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD40N03S4L-08
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4596
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQPF5P20, 3.4 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  FQPF5P20
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-8772
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ065N03LS, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  BSZ065N03LS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4331
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3707ZPBF, 56 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR3707ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-4993
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP2110A, 230 mA, Vds=100 V, 3引脚 E-Line封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  ZVP2110A
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-7784
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP2106GTA, 450 mA, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  ZVP2106GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  275-967
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4206A, 600 mA, Vds=60 V, 3引脚 E-Line封装
  
  规格：典型关断延迟时间 12 ns,
• 制造商零件编号：
  ZVN4206A
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  655-559
  
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