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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS87, 260 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-89封装
  
  规格：典型关断延迟时间 17.6 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS87
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  752-8249
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3708PBF, 61 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 17.6 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR3708PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-4984
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3708TRPBF, 61 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 17.6 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR3708TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5173
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3708PBF, 62 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 17.6 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF3708PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0872
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3098L-7, 3.8 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 17.6 ns,
• 制造商零件编号：
  DMP3098L-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4266
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS87H6327XTSA1, 260 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-89封装
  
  规格：典型关断延迟时间 17.6 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS87H6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0074
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3708PBF, 62 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 17.6 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF3708PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3819
  
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