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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS31N20DPBF, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFS31N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  539-4990
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLIZ44NPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLIZ44NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0541
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS23N20DPBF, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFS23N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4845
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDS6892A, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS6892A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0637
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL3705ZPBF, 86 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  IRL3705ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7175
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5865NLT4G, 40 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  NTD5865NLT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2894
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRL3705ZL, 86 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRL3705ZL
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4331
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR2905, 42 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR2905
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4356
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD7ANM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  STD7ANM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5723
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH30N50Q3, 30 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFH30N50Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1386
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD5865NLT4G, 38 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  NVD5865NLT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1080
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS3890, 4.7 A, Vds=80 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS3890
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3630
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6911, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS6911
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3661
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB31N20DPBF, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFB31N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3947
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS31N20DTRLP, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFS31N20DTRLP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4091
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR2905TRPBF, 42 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLR2905TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3357
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ44NSTRLPBF, 47 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLZ44NSTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3417
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD13AN06A0_F085, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  FDD13AN06A0_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8039
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB23N20DPBF, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFB23N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5787
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR802N L6327, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-59封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  BSR802N L6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2251
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC100N10NSF G, 90 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  BSC100N10NSFG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4375
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLIZ44NPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLIZ44NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3796
  
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• Wolfspeed SiC N沟道 MOSFET C2M0040120D, 60 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  C2M0040120D
  品牌：
  Wolfspeed
  库存编号：
  923-0711
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD7NM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  STD7NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1988
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD100N04S4-02, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型关断延迟时间 26 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD100N04S4-02
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7111
  
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