品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU024PBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
IRFU024PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4822
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIS406DN-T1-GE3, 9 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
SIS406DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3418
搜索
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2307BDS-T1-E3, 2.5 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
SI2307BDS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4679
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET SI4850EY-T1-GE3, 8.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
SI4850EY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9014
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ24PBF, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
IRFZ24PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0672
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI4436DY-T1-GE3, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
SI4436DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3224
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR020TRPBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
IRFR020TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2764
搜索
Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI5935CDC-T1-GE3, 3.8 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
SI5935CDC-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1352
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Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQD19P06-60L_GE3, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
SQD19P06-60L_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3936
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR024PBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
IRFR024PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
918-9868
查看其他仓库
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI4850EY-T1-E3, 6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
SI4850EY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0828
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
SI7850DP-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0830
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRF740LCPBF, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
IRF740LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4485
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
SI7850DP-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5659
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Vishay Si P沟道 MOSFET 晶体管 IRFR9310PBF, 1.8 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
IRFR9310PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
535-3270
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9310PBF, 1.8 A, Vds=400 V, 3引脚 IPAK封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
IRFU9310PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9967
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIZ24GPBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
IRFIZ24GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4787
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR024PBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
IRFR024PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4819
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI4162DY-T1-GE3, 13.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
SI4162DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3323
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4946BEY-T1-GE3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
SI4946BEY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9027
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA12DP-T1-GE3, 25 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
SIRA12DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9386
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Vishay Si N沟道 MOSFET Si1416EDH-T1-GE3, 3.9 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
Si1416EDH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3063
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SIA921EDJ-T1-GE3, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
SIA921EDJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1235
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIS430DN-T1-GE3, 21 A, Vds=25 V, 8引脚 PowePAK 1212封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
SIS430DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1308
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI5410DU-T1-GE3, 12 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 25 ns,
制造商零件编号:
SI5410DU-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1315
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