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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI4431CDY-T1-GE3, 7.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 23 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4431CDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3215
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQM40N10-30-GE3, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 23 ns,
• 制造商零件编号：
  SQM40N10-30-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3958
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF530PBF, 14 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 23 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF530PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  918-9859
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF530PBF, 14 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 23 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF530PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4730
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI1069X-T1-GE3, 750 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-89封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 23 ns,
• 制造商零件编号：
  SI1069X-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3047
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIHLR024TR-GE3, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 23 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHLR024TR-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  813-0727
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQ4850EY-T1-GE3, 12 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 23 ns,
• 制造商零件编号：
  SQ4850EY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3923
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR424DP-T1-GE3, 23 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 23 ns,
• 制造商零件编号：
  SIR424DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1279
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF530STRL-GE3, 14 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 23 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHF530STRL-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2610
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF530STRR-GE3, 14 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 23 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHF530STRR-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2613
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRLD024PBF, 2.5 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 23 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLD024PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0632
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRLU024PBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 23 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLU024PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4881
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRLZ24PBF, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 23 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLZ24PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4888
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4004DY-T1-GE3, 12 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 23 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4004DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3182
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIHB12N50C-E3, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 23 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHB12N50C-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1257
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI6954ADQ-T1-GE3, 3.1 A, Vds=30 V, 8引脚 TSSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 23 ns,
• 制造商零件编号：
  SI6954ADQ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1371
  
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