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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STH310N10F7-6, 180 A, Vds=100 V, 7引脚 H2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 148 ns,
• 制造商零件编号：
  STH310N10F7-6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-2006
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STH310N10F7-2, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 H2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 148 ns,
• 制造商零件编号：
  STH310N10F7-2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3707
  
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• STMicroelectronics STripFET F6 系列 Si P沟道 MOSFET STL8P4LLF6, 8 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：典型关断延迟时间 148 ns,
• 制造商零件编号：
  STL8P4LLF6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2846
  
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• STMicroelectronics STripFET F6 系列 Si P沟道 MOSFET STS7P4LLF6, 7 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 148 ns,
• 制造商零件编号：
  STS7P4LLF6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2864
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP310N10F7, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 148 ns,
• 制造商零件编号：
  STP310N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-2008
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STH310N10F7-6, 180 A, Vds=100 V, 7引脚 H2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 148 ns,
• 制造商零件编号：
  STH310N10F7-6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3704
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP310N10F7, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 148 ns,
• 制造商零件编号：
  STP310N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3798
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDFP03N150CG, 5 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型关断延迟时间 148 ns,
• 制造商零件编号：
  NDFP03N150CG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  801-6785
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STL42P4LLF6, 42 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：典型关断延迟时间 148 ns,
• 制造商零件编号：
  STL42P4LLF6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5682
  
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