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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH6200TR2PBF, 45 A, Vds=20 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFH6200TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7284
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP200NF04, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  STP200NF04
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0064
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK100A08N1,S4X(S, 214 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  TK100A08N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4980
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK10A80E,S4X(S, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  TK10A80E,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5419
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDUL03N150CG, 5 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-3PF封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  NDUL03N150CG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  801-6791
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK10A80E,S4X(S, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  TK10A80E,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6107
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI80P03P4L-04, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  IPI80P03P4L-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6794
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP90N06S4L-04, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP90N06S4L-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7038
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW24N60C3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  SPW24N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7236
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SUM110P06-08L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  SUM110P06-08L-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5740
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB200NF04T4, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  STB200NF04T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  134-576
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP1405, 160 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRFP1405
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1819
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100E10N1, 207 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  TK100E10N1
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5070
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100E08N1, 214 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  TK100E08N1
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5077
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK100A10N1,S4X(S, 207 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  TK100A10N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4983
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDTL03N150CG, 2.5 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  NDTL03N150CG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  801-6797
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP80P03P4L-04, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP80P03P4L-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5554
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPB90N06S4L04ATMA2, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB90N06S4L04ATMA2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9046
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPD90P04P4L-04, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD90P04P4L-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5230
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100A08N1,S4X(S, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  TK100A08N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6090
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100A08N1,S4X(S, 214 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  TK100A08N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2857
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100A10N1,S4X(S, 207 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  TK100A10N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2866
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK10A80E,S4X(S, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  TK10A80E,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2647
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPP20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  SPP20N60S5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-6391
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SUM110P06-08L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型关断延迟时间 140 ns,
• 制造商零件编号：
  SUM110P06-08L-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-5014
  
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