规格:典型关断延迟时间 120 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET 3LP01SS-TL-E, 100 mA, Vds=30 V, 3引脚 SSFP封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
3LP01SS-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
792-5206
搜索
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET 3LP01M-TL-H, 100 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-70封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
3LP01M-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
800-9377
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 晶体管 NTB6410ANG, 76 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
NTB6410ANG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1005
查看其他仓库
ROHM N沟道 Si MOSFET RCX330N25, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FM封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
RCX330N25
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7721
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPE50PBF, 7.8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
IRFPE50PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1089
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS6675BZ, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
FDS6675BZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0598
搜索
ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET EMH1307-TL-H, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 EMH封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
EMH1307-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0888
搜索
Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDB6020P, 24 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-263AB封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
NDB6020P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-1224
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDP6020P, 24 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
NDP6020P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-1230
搜索
Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FDC642P, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
FDC642P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0865
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK72E12N1,S1X(S, 72 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
TK72E12N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6277
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Panasonic MTM 系列 P沟道 Si MOSFET MTM231232LBF, 3 A, Vds=20 V, 3引脚 SMini3-G1-B封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
MTM231232LBF
品牌:
Panasonic
库存编号:
787-7529
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET 3LP01S-TL-E, 100 mA, Vds=30 V, 3引脚 SMCP封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
3LP01S-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
792-5215
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK72E12N1,S1X(S, 179 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
TK72E12N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5208
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTP6410ANG, 76 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
NTP6410ANG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-4105
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF11N50CF, 11 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
FQPF11N50CF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5881
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK72A12N1,S4X(S, 72 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
TK72A12N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6268
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA40N25, 40 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
FQA40N25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4941
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW52N50C3, 52 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
SPW52N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8518
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW43NM60ND, 35 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
STW43NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0332
查看其他仓库
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET 3LP01C-TB-E, 100 mA, Vds=30 V, 3引脚 CP封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
3LP01C-TB-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
792-5202
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Nexperia 双 Si P沟道 MOSFET PMDPB80XP, 2.7 A, Vds=20 V, 8引脚 DFN-2020封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
PMDPB80XP
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2744
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK72A12N1,S4X(S, 179 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
TK72A12N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5198
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDMA905P, 10 A, Vds=12 V, 6引脚 MLP封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
FDMA905P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3484
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ROHM Si N沟道 MOSFET RCJ330N25TL, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 SC-83封装
规格:典型关断延迟时间 120 ns,
制造商零件编号:
RCJ330N25TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7728
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