规格:典型关断延迟时间 13 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ14PBF, 10 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
IRFZ14PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1685
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD1N60CTM, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
FQD1N60CTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0983
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4019H-117P, 8.7 A, Vds=150 V, 5引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
IRFI4019H-117P
品牌:
Infineon
库存编号:
700-3198
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB3502, 14 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-263AB封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
FDB3502
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8977
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS86242, 4.1 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
FDS86242
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9692
查看其他仓库
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STN1NF10, 1 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
STN1NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2883
搜索
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB18NM60ND, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
STB18NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9267
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDC6401N, 3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
FDC6401N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0852
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDC653N, 5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
FDC653N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0868
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9010TRPBF, 5.3 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
IRFR9010TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0638
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIZ14GPBF, 8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
IRFIZ14GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2724
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB530N15N3G, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
IPB530N15N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8982
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8736TRPBF, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
IRF8736TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3919
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16323Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
CSD16323Q3
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4707
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ130N03MSG, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
BSZ130N03MSG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5101
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ100N03LSG, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
BSZ100N03LSG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5142
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMC8032L, 7 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 33封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
FDMC8032L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8209
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4019HG-117P, 8.7 A, Vds=150 V, 5引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
IRFI4019HG-117P
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5113
查看其他仓库
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMT6016LSS-13, 11.9 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
DMT6016LSS-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1177
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5C673NLT1G, 50 A, Vds=60 V, 5引脚 DFN封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
NTMFS5C673NLT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
922-9581
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSS606N H6327, 3.2 A, Vds=60 V, 4引脚 PG-SOT-89封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
BSS606N H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7170
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN2110ASTZ, 320 mA, Vds=100 V, 3引脚 E-Line封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
ZVN2110ASTZ
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7603
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Infineon 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRFI4024H-117P, 11 A, Vds=55 V, 5引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
IRFI4024H-117P
品牌:
Infineon
库存编号:
700-3214
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DiodesZetex IntelliFET 系列 N沟道 Si MOSFET ZXMS6003GTA, 1.6 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
ZXMS6003GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
712-2810
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDS355AN, 1.7 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型关断延迟时间 13 ns,
制造商零件编号:
NDS355AN
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0167
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