规格:典型关断延迟时间 31 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
NXP P沟道 Si MOSFET PMF170XP, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
PMF170XP
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8120
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4105PBF, 27 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IRFR4105PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9828
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9530PBF, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IRF9530PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-5159
搜索
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDF08N50ZG, 7.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
NDF08N50ZG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2828
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRLH5034TR2PBF, 29 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IRLH5034TR2PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
725-9331
搜索
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC7672, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
FDMC7672
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6291
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP6N52K3, 5 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
STP6N52K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0165
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR4105, 20 A,27 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
AUIRFR4105
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9146
搜索
Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR8403, 100 A, 127 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
AUIRFR8403
品牌:
Infineon
库存编号:
787-0982
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3099L-7, 2.9 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
DMP3099L-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
827-0503
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD2572_F085, 29 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
FDD2572_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8063
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS5362L_F085, 22 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
FDMS5362L_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8385
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI086N10N3 G, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IPI086N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2166
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5C430NLT1G, 200 A, Vds=40 V, 5引脚 DFN封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
NTMFS5C430NLT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
920-9903
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3010LK3-13, 43 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
DMN3010LK3-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1076
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB067N08N3 G, 80 A, Vds=80 V, 2针+焊片 PG-TO-263-3封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IPB067N08N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7099
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFIZ34NPBF, 21 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IRFIZ34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9743
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC8854, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
FDMC8854
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0393
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6646TR1PBF, 12 A, Vds=80 V, 5引脚 DirectFET MN封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IRF6646TR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6712
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR2905Z, 59 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
AUIRFR2905Z
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7473
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD5N50NZFTM, 3.7 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
FDD5N50NZFTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6175
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ34N, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
AUIRFZ34N
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1875
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDD2572, 29 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
FDD2572
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9059
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET AUIRF7341Q, 5.1 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
AUIRF7341Q
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4274
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD6NK50ZT4, 5.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
STD6NK50ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9597
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