品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ24NPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IRLZ24NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1231
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024ZPBF, 5 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IRLL024ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4463
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5302DTR2PBF, 29 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IRFH5302DTR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9284
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ0902NSI, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
BSZ0902NSI
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9207
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50N06S4-09, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IPD50N06S4-09
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9175
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP125H6327XTSA1, 120 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
BSP125H6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9276
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD088N06N3G, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IPD088N06N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5081
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP125H6433XTMA1, 120 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
BSP125H6433XTMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8497
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA126N10N3 G, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IPA126N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2242
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Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP060N06N, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IPP060N06N
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2276
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLU3103PBF, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IRLU3103PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5062
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5505TRPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IRFR5505TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4783
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF9953TRPBF, 2.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IRF9953TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4998
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ24NSTRLPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IRLZ24NSTRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5118
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR024NPBF, 17 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IRLR024NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9935
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF9953PBF, 2.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IRF9953PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0339
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Infineon SIPMOS 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSO615N G, 2.6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
BSO615N G
品牌:
Infineon
库存编号:
753-2797
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD060N03L G, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IPD060N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5456
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC076N06NS3G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
BSC076N06NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9137
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB45N06S409, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IPB45N06S409
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9443
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3103TRPBF, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IRLR3103TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3363
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP45N06S4-09, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IPP45N06S4-09
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6892
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB45N06S4-09, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IPB45N06S4-09
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8683
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7107TRPBF, 75 A, Vds=75 V, 8引脚 PQFN封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IRFH7107TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4173
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Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPD053N06N, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IPD053N06N
品牌:
Infineon
库存编号:
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