规格:典型关断延迟时间 115 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7440PBF, 208 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 115 ns,
制造商零件编号:
IRFS7440PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-8975
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IXYS GigaMOS, HiperFET 系列 N沟道 Si MOSFET MMIX1F360N15T2, 235 A, Vds=150 V, 24引脚 SMPD封装
规格:典型关断延迟时间 115 ns,
制造商零件编号:
MMIX1F360N15T2
品牌:
IXYS
库存编号:
875-2493
查看其他仓库
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7440PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 115 ns,
制造商零件编号:
IRFB7440PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9188
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL7440PBF, 208 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型关断延迟时间 115 ns,
制造商零件编号:
IRFSL7440PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5090
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL7434PBF, 320 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型关断延迟时间 115 ns,
制造商零件编号:
IRFSL7434PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5145
查看其他仓库
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7434PBF, 195 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 115 ns,
制造商零件编号:
IRFB7434PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9175
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R7-60BS, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 115 ns,
制造商零件编号:
PSMN1R7-60BS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2921
搜索
IXYS GigaMOS, HiperFET 系列 N沟道 Si MOSFET MMIX1F420N10T, 334 A, Vds=100 V, 24引脚 SMPD封装
规格:典型关断延迟时间 115 ns,
制造商零件编号:
MMIX1F420N10T
品牌:
IXYS
库存编号:
875-2497
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW52NK25Z, 52 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型关断延迟时间 115 ns,
制造商零件编号:
STW52NK25Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5279
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF9362PBF, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 115 ns,
制造商零件编号:
IRF9362PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7307
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP26N40, 26 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 115 ns,
制造商零件编号:
FDP26N40
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3551
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7434PBF, 320 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 115 ns,
制造商零件编号:
IRFS7434PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3347
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