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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW12NK90Z, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 88 ns,
• 制造商零件编号：
  STW12NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1995
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL40B212, 254 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 88 ns,
• 制造商零件编号：
  IRL40B212
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  896-7342
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC50PBF, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 88 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFPC50PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9838
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF5803PBF, 3.4 A, Vds=40 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 88 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF5803PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-3735
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW12NK90Z, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 88 ns,
• 制造商零件编号：
  STW12NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0617
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5203TRPBF, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 88 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLML5203TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0325
  
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• IXYS GigaMOS, HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET MMIX1F180N25T, 132 A, Vds=250 V, 24引脚 SMPD封装
  
  规格：典型关断延迟时间 88 ns,
• 制造商零件编号：
  MMIX1F180N25T
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  875-2481
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5203TRPBF, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 88 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLML5203TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4705
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL40S212, 254 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型关断延迟时间 88 ns,
• 制造商零件编号：
  IRL40S212
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  896-7346
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5203GTRPBF, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 88 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLML5203GTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5160
  
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