规格:典型关断延迟时间 77 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP023N10N5, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 77 ns,
制造商零件编号:
IPP023N10N5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7116
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC028N06LS3 G, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
规格:典型关断延迟时间 77 ns,
制造商零件编号:
BSC028N06LS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5241
搜索
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN110N60P3, 90 A, Vds=600 V, 4引脚 SOT-227B封装
规格:典型关断延迟时间 77 ns,
制造商零件编号:
IXFN110N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7596
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVMFS5C404NT1G, 378 A, Vds=40 V, 5引脚 DFN封装
规格:典型关断延迟时间 77 ns,
制造商零件编号:
NVMFS5C404NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
900-8823
搜索
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB110N60P3, 110 A, Vds=600 V, 3引脚 PLUS264封装
规格:典型关断延迟时间 77 ns,
制造商零件编号:
IXFB110N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4344
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDA33N25, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:典型关断延迟时间 77 ns,
制造商零件编号:
FDA33N25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7944
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN3R0-60PS, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 77 ns,
制造商零件编号:
PSMN3R0-60PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2946
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